 
                                         
                                         
                                         
                                        Merak1412
                                    X射线动态平板探测器
                                    
                                        Merak1412X射线动态平板探测器采用CMOS工艺技术,具有高速、低噪声、高分辨率和低剂量成像的特点,可广泛应用牙科和其他CBCT等医疗影像领域。
探测器配备标准的 GigE Vision 协议,使用户获取数据更加便捷。其采用国际先进的针状 CsI 闪烁体,满足用最小的放射剂量获得更清晰图像的需求。
                                探测器配备标准的 GigE Vision 协议,使用户获取数据更加便捷。其采用国际先进的针状 CsI 闪烁体,满足用最小的放射剂量获得更清晰图像的需求。
产品特点
                                100μm像素尺寸
                                        1404×1204像素矩阵
                                        应用领域
                                - 牙科CBCT及全景成像
                                                                                - 其他专科CBCT
                                                                            技术参数
                                传感器
                                        类型
                                                CMOS
                                            像素尺寸
                                                100μm
                                            像素矩阵
                                                1404×1204
                                            有效面积
                                                140.4×120.4mm²
                                            闪烁体
                                                CsI
                                            能量范围
                                                40kV~120kV
                                            功能
                                        采集模式
                                                连续触发/触发模式
                                            触发模式
                                                内触发/外触发
                                            ROI
                                                自定义任意尺寸
                                            其他
                                        接口
                                                RJ45 (以太网协议接口,GigE 1G)
                                            电源
                                                DC12V±10%
                                            功耗
                                                ≤10W
                                            使用环境
                                                +10ºC~+40ºC
                                            存储环境
                                                -20ºC~+55ºC
                                            
                                    产品比较
                                    
                                        
                                比较
                                    
                                | 型号 | 类型 | 像素尺寸 | 像素矩阵 | 有效面积 | 帧速率 | 闪烁体 | 辐照寿命 | 能量范围 | 采集模式 | 触发模式 | ROI | 接口 | 电源 | 功耗 | 使用环境 | 存储环境 | 重量 | 外型尺寸(W×L×H) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Merak1313 | CMOS | 100μm | 1280×1280 | 128×128 mm² | CsI | 40kV~120kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口,GigE 1G) | DC12V±10% | ≤10W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | |||||
| Merak1215A | CMOS | 49.5μm | 2940×2342 | 115.9×145.5 mm² | CsI | 20kV~90kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口,GigE 1G) | DC12V±10% | ≤6W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | |||||
| Merak1613S | a-Si (TFT) | 125μm | 1274×1024 | 159.3×128 mm² | CsI | 40kV~125kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口,GigE 1G) | DC24V±10% | ≤12W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | |||||
| Merak1615 | CMOS | 100µm | 1600×1500 | 160×150mm² | CsI | 40kV~125kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | X×Y [X列数、Y行数,X、Y=2n,最小为16] | RJ45 (以太网协议接口,GigE 1G) | DC12V±10% | ≤10W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | |||||
| Merak1917Z | IGZO (TFT) | 120µm | 1536×1386 | 184.3×166.3mm² | CsI | 40kV~125kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45(以太网协议接口,GigE 1G) | DC24V±10% | ≤10W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | |||||
| Merak2121 | CMOS | 135µm | 1504×1560 | 203×211mm² | CsI | 40kV~125kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45(以太网协议接口,GigE 1G) | DC(12V~24V)±10% | ≤15W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | |||||
| Merak3030 | CMOS | 100µm | 3240×3000 | 324×300mm² | CsI | 40kV~125kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45(以太网协议接口,GigE 10G) | DC24V±10% | ≤30W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | |||||
| Merak3030Z | IGZO (TFT) | 148µm | 2048×2048 | 303.1×303.1mm² | Csl | 40kV~125kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45(以太网协议接口,GigE 10G) | DC24V±10% | ≤20W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | |||||
| Merak3040 | CMOS | 100µm | 4320×3000 | 432×300mm² | CsI | 40kV~125kV | 连续模式/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45(以太网协议接口,GigE 10G) | DC24V±10% | TBD | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | 
 
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