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Pheda1512
X射线动态平板探测器
Pheda 1512 基于先进的 CMOS 成像技术，具有 100 微米的像素尺寸，是一款拥有高分辨率和低噪声的高灵敏度 X 射线平板探测器。其拥有卓越的灵敏度和信噪比，在低剂量场景下依然能提供高品质的图像质量。
适用于多种工业无损检测应用，如电子部件检测、显微 CT、锂电池检测、铸造件检测、汽车、航天制造质量控制。
适用于多种工业无损检测应用，如电子部件检测、显微 CT、锂电池检测、铸造件检测、汽车、航天制造质量控制。
产品特点
100μm像素尺寸
1440×1120像素矩阵
20 kGy长辐照寿命
应用领域
- 电子部件检测
- 显微CT
- 锂电池检测
- 铸造件检测
- 汽车、航天、电子制造质量控制
技术参数
传感器
类型
CMOS
像素尺寸
100µm
像素矩阵
1440×1120
有效面积
144.0×112.0mm²
闪烁体
CsI/GOS
辐照寿命
20kGy
能量范围
40kV～160kV
功能
采集模式
连续触发/触发模式
触发模式
内触发/外触发
ROI
自定义任意尺寸
其他
接口
RJ45 (以太网协议接口)
电源
DC12V±10%
功耗
≤10W
使用环境
+10ºC~+40ºC
存储环境
-20ºC~+60ºC
产品比较
比较
| 型号 | 类型 | 像素尺寸 | 像素矩阵 | 有效面积 | 帧速率 | 闪烁体 | 辐照寿命 | 能量范围 | 采集模式 | 触发模式 | ROI | 接口 | 电源 | 功耗 | 使用环境 | 存储环境 | 重量 | 外型尺寸(W×L×H) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pheda3030 | CMOS | 100μm | 3000×3000 | 300×300mm² | CsI | 40kV～160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | DC24V±10% | |||||||||
| Pheda1613D | a-Si(TFT) | 125μm | 1274×1024 | 160×128mm²（6×5in） | CsI | 20kGy | 40kV~230kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口) | DC24V±10% | ≤12W | +5ºC~+35ºC | -20ºC~+60ºC | ||||
| Pheda1412-5G | CMOS | 100µm | 1404×1204 | 140.4×120.4mm² | CsI | 20kGy | 40kV～160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口) | DC12V±10% | ≤15W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+60ºC | ||||
| Pheda1412 | CMOS | 100µm | 1404×1204 | 140.4×120.4mm² | CsI/GOS | 20kGy | 40kV～160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口) | DC12V±10% | ≤10W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+60ºC | ||||
| Pheda0606A | CMOS | 49.5μm | 1172×1260 | 58.0×62.4 mm2 | CsI | 10kGy | 40kV~160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45（以太网协议接口） | DC12V±10% | ≤4W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+55ºC | ||||
| Pheda1313 | CMOS | 100µm | 1280×1280 | 128.0×128.0mm² | CsI/GOS | 20kGy | 40kV~160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口) | DC12V±10% | ≤10W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+60ºC | ||||
| Pheda1215A | CMOS | 49.5μm | 2940×2342 | 145.5×115.9 mm2 | CsI | 10kGy | 40kV~160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口) | DC12V±10% | ≤6W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+60ºC |