English
Pheda0606A
X射线动态平板探测器
Pheda0606A 系列 X 射线动态平板探测器（以下简称为探测器）基于先进的 CMOS 成像技术，具有高速、高分辨率和低噪声成像的特点，针对工业无损检测场景优化了探测器的辐照寿命，可广泛应用于电子部件检测、显微 CT、锂电池检测、铸造件检测、汽车航空电子制造质量控制等多种工业无损检测领域。
探测器配备标准的 GigE Vision 协议，使用户获取数据更加便捷。
探测器配备标准的 GigE Vision 协议，使用户获取数据更加便捷。
产品特点
49.5µm像素尺寸
1172×1260像素矩阵
10 kGy长辐照寿命
应用领域
- 电子部件检测
- 显微CT
- 锂电池检测
- 铸造件检测
- 汽车、航天、电子制造质量控制
技术参数
传感器
类型
CMOS
像素尺寸
49.5μm
像素矩阵
1172×1260
有效面积
58.0×62.4 mm2
闪烁体
CsI
辐照寿命
10kGy
能量范围
40kV~160kV
功能
采集模式
连续触发/触发模式
触发模式
内触发/外触发
ROI
自定义任意尺寸
其他
接口
RJ45（以太网协议接口）
电源
DC12V±10%
功耗
≤4W
使用环境
+10ºC~+40ºC
存储环境
-20ºC~+55ºC
产品比较
比较
| 型号 | 类型 | 像素尺寸 | 像素矩阵 | 有效面积 | 帧速率 | 闪烁体 | 辐照寿命 | 能量范围 | 采集模式 | 触发模式 | ROI | 接口 | 电源 | 功耗 | 使用环境 | 存储环境 | 重量 | 外型尺寸(W×L×H) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pheda3030 | CMOS | 100μm | 3000×3000 | 300×300mm² | CsI | 40kV～160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | DC24V±10% | |||||||||
| Pheda1613D | a-Si(TFT) | 125μm | 1274×1024 | 160×128mm²（6×5in） | CsI | 20kGy | 40kV~230kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口) | DC24V±10% | ≤12W | +5ºC~+35ºC | -20ºC~+60ºC | ||||
| Pheda1412-5G | CMOS | 100µm | 1404×1204 | 140.4×120.4mm² | CsI | 20kGy | 40kV～160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口) | DC12V±10% | ≤15W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+60ºC | ||||
| Pheda1512 | CMOS | 100µm | 1440×1120 | 144.0×112.0mm² | CsI/GOS | 20kGy | 40kV～160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口) | DC12V±10% | ≤10W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+60ºC | ||||
| Pheda1412 | CMOS | 100µm | 1404×1204 | 140.4×120.4mm² | CsI/GOS | 20kGy | 40kV～160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口) | DC12V±10% | ≤10W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+60ºC | ||||
| Pheda1313 | CMOS | 100µm | 1280×1280 | 128.0×128.0mm² | CsI/GOS | 20kGy | 40kV~160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口) | DC12V±10% | ≤10W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+60ºC | ||||
| Pheda1215A | CMOS | 49.5μm | 2940×2342 | 145.5×115.9 mm2 | CsI | 10kGy | 40kV~160kV | 连续触发/触发模式 | 内触发/外触发 | 自定义任意尺寸 | RJ45 (以太网协议接口) | DC12V±10% | ≤6W | +10ºC~+40ºC | -20ºC~+60ºC |